Fonte: Estado de Valores Mobiliários
consultoria de investimento
Estratégia Indústria: Global de memória DRAM e NAND de memória flash depois de vários trimestres de ajuste de estoques serão chegando ao fim, significativamente revisto despesas de capital, juntamente com os telemóveis 5G aumentar a quantidade de memória e recuperação incremental mercado de servidores, aumentar a proporção de clientes nuvem, CPU e memória entre em oito canais de dados, AI explosão no volume de dados, estimamos que o mercado global de memória irá evoluir a partir do ano passado excesso de oferta à demanda no segundo semestre deste ano e em 2021 uma série de pontos. A segunda metade do 2020 e 2021 mais a recuperação dos preços do crescimento bit DRAM de 18-19% e 32-37% de crescimento pouco demanda NAND na demanda é esperado para impulsionar a receita da indústria de memória global 2020/2021 cresceu mais de 15% / 25% (vs. 2019 ano 35% declínio), e dirigindo o global de semicondutores nos últimos dois anos aumentou em quase 10%, por isso elevou memória classificação indústria de armazenamento de "underweight" para "comprar" por causa de preocupações Micron vai continuaram a ser vítimas de alternativa interna para embelezar e influência, de modo que não se concentrar sobre o tema da Micron incluído.
Concentre-se na empresa: SK Hynix, Zhao Yi inovação, Beijing Jun Indústria Taiji, AMEC.
indústria Visualizações
ajuste de estoques está quase completo, o capital gastando ano de fundo: NOR / máscara inventário fabricantes ROM caiu para mínimos históricos durante vários meses urgência de quatro meses ou menos, e os fabricantes de DRAM / NAND também irá estocar alguns meses gradualmente reduzida para 3,7 meses, e estimar o último trimestre de inventário absoluta DRAM / NAND deve ser reduzida para 20% do aumento, o que faz com que os preços à vista e contrato de memória recente gradual ligeira retoma estável na segunda metade de 2020 e de memória de caixa estimado de 2021 eo preço do contrato recuperar totalmente. Em despesas de capital como uma percentagem da análise rácio das receitas, estimamos que provavelmente também precisa 1-2 trimestre atingiu 27% nos últimos cinco anos de baixa, enquanto as despesas de capital será de até fabricantes de memória para analisar, estimar o 2019 quarto trimestre vai cair abaixo de ao longo dos últimos cinco anos para uma baixa de 40%, nós também precisamos pensar sobre 1-2 quartos vai começar a reverter para cima.
Vários vigor memória demanda de condução: 1) 2020/2021 cem milhões /3.5-4.01,7-2,0 milhões de unidades 5G 4G telemóvel equipado de cerca de 2 vezes a DRAM e NAND, 2) 2020/2021 mercado de servidores cresceu 10% / 22%; 3) crescimento de clientes de nuvem muito excedeu os clientes de servidores fim do negócio / governo; 4) CPU com os dados da DRAM 6 para 8 canais; 5) a sabedoria de oficinas,, coisas inteligentes auto-condução sobre AI e grande memória de dados a explosão na demanda.
Excesso de oferta à demanda: Estado estima 2.020 DRAM mundial de memória de saída (o crescimento da oferta bit) ano no aumento do ano 15-17%, a produção de NAND vai aumentar em 30-35% ano a ano, este deve ser 1-2 pontos menor do que 2020 a pedido, de modo que a memória DRAM excesso em 2019 irá mudar de 5 pontos para 2 pontos em falta na segunda metade de 2020 (-2% rácio suficiência). O NAND excesso de oferta em 2019 vai mudar de um ponto a 4-6 pontos em falta no segundo semestre de 2020.
O crescimento global da indústria de memória mais de 15% este ano, atingindo 10% do crescimento global de semicondutores: Embora a curto prazo envolta nova epidemia de coronavírus, afetando a demanda por memória do telefone, mas o crescimento bit de memória juntamente com uma recuperação no segundo semestre preços de 2020 e 2021, espera-se 2020/2021 receita global da indústria de memória cresceu mais de 15% / 25%, conduzindo o global de semicondutores últimos dois anos aumentou em quase 10%.
Cortes de cabelo: Porque a fabricação de memória (não incluindo o design da loja, embalagem e do ensaio, equipamento) flutuações de lucro a montante e a jusante ciclos indústria de semicondutores do que outros grandes investidores estão relutantes em dar à empresa demasiado elevado P / E e valorização de PEG, nos últimos três anos e o preço de rentabilidade futura (P / e) intervalo é 7-13 vezes, PEG intervalo 0,5-0,3, estão muito abaixo do design de semicondutores 26-55 vezes P / e, secção PEG 1,02.0, bem como a indústria de equipamentos 22-47 vezes P / e, 0,9-1,7 intervalo de PEG.
Aviso de risco
Se o primeiro semestre deste ano, smartphones e demanda servidor como esperado, não só os preços da memória estáveis subirá; guerra comercial entre os EUA e a difusão do novo coronavírus ainda é um grande variável.
texto
ajuste de estoques está quase completo
Depois de vários trimestres de ajuste de estoques, NOR / fabricantes ROM de máscara caiu para reservas de emergência de quatro meses por vários meses seguintes mínimos históricos, enquanto a memória DRAM / fabricantes de memória flash NAND vai estocar alguns meses gradualmente reduzida para 3,7 meses, apesar de estarmos atualmente estimado em cerca de 2-3 quartos destes fabricantes, mas também para reduzir o número de inventário meses para mínimos perto de recorde de 2,4 meses, mas é absolutamente inventário DRAM / NAND, embora permanece atualmente em high-end, mas a mudança tem aumentado ano a ano de 57% no segundo trimestre do ano passado, uma queda de 42% ano a ano o crescimento no terceiro trimestre, estimamos o DRAM absoluta no quarto trimestre do ano passado / inventário NAND deve ser reduzida para o ano de 20% no crescimento do ano. Porque redução de inventário contínuo, deu lugar à ROM máscara mais próximo NOR,, memória DRAM, NAND local de memória flash e contrato gradualmente os preços se recuperaram ligeiramente estável, esperamos que o segundo semestre de 2020 e 2021 NOR, ROM de máscara, memória DRAM, memória flash NAND detectar e preço do contrato recuperar totalmente, de modo que a recuperação completa pode dirigir rentável.
força motriz demanda no 5G memória do telefone, servidor
Em termos de mercado de memória DRAM global, as principais forças motrizes da demanda é responsável por quase quarenta por cento do uso do telefone celular DRAM, mas nos próximos anos por causa do mercado global de telefones móveis 5G será ativado partir de 2019 quase 10 milhões de unidades, explosão em 2020 cem milhões de 1,7-2,0 e 2021 de 350-400 milhões de unidades, enquanto cada telefone 5G é equipado com 8GB ou mais móvel DRAM (vs. telemóvel 4G equipado com móvel DRAM uns 4-6 GB), estimamos responsável por quase quarenta por cento do telemóvel DRAM usado em 2020/2021 pode ser aumentada em 15-20% (um aumento de 1-4% de telefone móvel global, cada telefone capacidade DRAM aumentou a taxa de crescimento anual composto cerca de 15 por cento), um pouco maior do que a nossa estimativa de 14 DRAMexchange por cento de crescimento.
Além de telefones celulares, os servidores são responsáveis por cerca de 34% de 2020 a utilização da memória DRAM global, estimada em 2020, o mercado mundial de servidores cresceu 10% (DRAMeXchange estima apenas um aumento de 3,8%), um aumento de 22% em 2021 e 2019 --2024 ano taxa de crescimento anual composto de 13% CAGR, cravejado com módulos de memória por clientes de servidores cloud server cresceu substancialmente mais do que o final de clientes finais empresariais e governamentais (Intel informou 4Q19 clientes de servidores cloud aumentou 48%, mas corporativo e governo end end depois que o cliente 7% ano a ano declínio), com cada servidor, porque a velocidade da CPU e DRAM acelerar, memória CPU DRAM com um canal de dados vai lançar 56 core Intel 14nm ++ Cooper Lake e 38 do núcleo de 10nm + Ice Lake este ano, de 6 a canaleta 8 canais, estes três razões irão conduzir aumento da utilização da capacidade por servidor DRAM, e que, por conseguinte, estimar servidores usar uso de memória DRAM a um aumento de 25-30% em 2020, em 2021, um aumento de quase 40%, e em 2024 em mais de metade do montante global de DRAM.
mercado de memória DRAM com semelhante, em termos de mercado mundial de memória flash NAND, as principais forças motrizes da demanda é responsável por quase 47% do uso do telefone celular NAND, e cada telefone 5G é equipado com um flash NAND 128-256GB (vs. telemóvel 4G equipado com 64 -128GB NAND de memória flash), estimamos que o uso do telefone celular NAND em 2020/2021 pode ser aumentado em quase 30% (um aumento de 1-4% do telefone móvel global, cada capacidade de telefone NAND por causa do aumento da quantidade de transmissão de dados 5G, enquanto um telefone celular 25 NAND % composto taxa de crescimento anual).
Além de telefones, computadores servidores e laptop / desktop móveis para utilização SSD NAND para substituir o disco rígido, o que representa 46% dos 2.020 NAND global de consumo de memória flash, em 2020, o mercado mundial de servidores estimado cresceu 10% (DRAMeXchange prevê um aumento de apenas 3,8%), em 2021, um aumento de 22%, e 2019--13% da CAGR taxa de crescimento composta de 2024 anos, com cada servidor, porque a velocidade da CPU e velocidade de acesso, uma variedade de novas aplicações para AI a quantidade de explosão de dados, essas razões irá conduzir o uso de cada servidor aumento da capacidade SSD NAND, que, portanto, estimada a quantidade de memória flash NAND com o servidor estará em 2020--2022 ano em CAGR de 35-40% no ano.
abastecimento de memória para ver as mudanças de gastos de capital
Enquanto nós deve estar preocupado com memória flash NAND doméstica e fabricantes de telefones fabricante de memória Yangtze DRAM móvel Hefei Xin longo progresso do plano de expansão e as despesas de capital está causando excesso de oferta global da indústria de memória, mas desde o início da fabricantes nacionais de produção, rendimento pobre, e depois pelos novos coronavírus afetar a aceitação do equipamento e instalado (esperamos Yangtze armazenamento Estados Unidos / Japão / Europa em um dispositivo semicondutor será adiada alguns meses), há o design e tecnologia de processo e empresas internacionais ainda são poucas gerações o intervalo (64 NAND vs. memória Samsung / Hynix da camada NAND Rio Rio Azul / Kioxia / Micron 96/112/128, Hefei Xin longo 1x DRAM vs Samsung / Hynix / Micron 1z DRAM) causou a sua qualidade , tipo de tamanho, quantidade, custo e preço não são competitivos com o mercado, por isso, estimamos actualmente que a quota de mercado global de semicondutores de memória DRAM + NAND em 2022, não deve exceder 5%.
Portanto, a curto prazo, ainda temos que fazer os fabricantes de despesas de capital global está estimada em conta para despesas de capital para análise rácio das receitas, a nossa estimativa preliminar do quarto trimestre de 2019 cairá para 37%, provavelmente também precisa chegar 1-2 trimestres ao longo da última baixo em cinco anos de 27% em despesas de capital até ao montante de análise fabricantes de memória, estimamos que 2.019 quarto trimestre vai cair abaixo da baixa de -40% nos últimos cinco anos, também precisamos pensar sobre o 1-2 trimestre ele vai começar a reverter para cima, mas se é uma análise da relação entre as despesas de capital como uma porcentagem da receita ou despesa de capital, acreditamos que em 2020 o gasto médio de capital fabricantes de memória global em percentagem do rácio das receitas deve ser 47% menor do que 2019, pelo menos 10 pontos ou mais, enquanto o ano de 2020 as despesas de capital em declínio ano de mais do que uma memória de pelo menos 15%.
Excesso de oferta à demanda - relação de Suficiência
Segundo a 2020 despesas média global de capital fabricantes de memória como uma percentagem do rácio das receitas deve ser inferior a 37% em 2020 e as despesas de capital de memória pelo menos ano, mais de 15% em declínio ano de estimativas, e vários fabricantes para o plano de expansão preliminar de 2020, estamos atualmente começando Estima 2020 a capacidade global de memória DRAM (crescimento da oferta bit) vai aumentar em 15-17% ano a ano, a capacidade de memória flash NAND global (crescimento da oferta bit) vai aumentar em 30-35% ano a ano, este deve ser 1-2 pontos mais baixo do que em 2020 procura, de modo que a memória DRAM excesso em 2019 irá mudar de 5 pontos para 2 pontos em falta na segunda metade de 2020 (-2 proporção suficiência%). O flash NAND excesso em 2019 irá mudar de um ponto para a segunda metade 20204-6 um curto pontos de abastecimento (-4 a -6% rácio suficiência).
os preços da memória tornou-se positivo no segundo semestre de recuperação 2020
Em volume pesado é esperado em 20205G telefone para 1,7-2,0 milhões de unidades em 2021 para 3.5-4.0 milhões de unidades (e reparar a partir do fundo de 200 milhões e em 2021 de 400 milhões inicialmente estimado para 2020 devido a pneumonia Wuhan) de 2020 quase 10 por cento no servidor-se, em 2021, um aumento de 22%, o que torna DRAM e relação NAND-suficiência será positivo para o negativo no segundo semestre deste ano (de excesso de oferta com a demanda) é esperado para os preços de memória causa durante a primeira metade do ano de 2020 em relação ao ano recessão, cresceu em ano de crescimento de dois dígitos no ano no quarto trimestre e segundo semestre de 2020, mas devido ao bloqueio contínuo dos Estados Unidos (e até mesmo considerar o aumento da intensidade) da tecnologia de semicondutores US usando Huawei, o continente chinês a adoptar uma alternativa abrangente para não-US-style (com Samsung, Hynix, Kioxia, Micron e Sul da Ásia para substituir Western digital saída DRAM / NAND). Acreditamos que nos próximos anos, a Coreia do Sul, Japão, China Taiwan, o crescimento da indústria de armazenamento interno será significativamente melhor do que o crescimento da Micron e Western Digital.
Os efeitos a curto prazo da nova demanda coronavirus e cadeia de suprimentos
Na demanda, acreditamos que a expansão da Wuhan diagnosticado com pneumonia e mortes, uma redução significativa no consumo externo fora do auto-isolamento, de curto prazo (3-4 meses) faz de uso doméstico consolas de jogos coberto de eletrônicos de consumo, computador, laptop, plataforma de vídeo, LCD / AMOLED / QLED TV, o trabalho e videoconferência explosão plataforma remota na demanda, que é utilizado para não-móvel demanda DRAM / NAND irá aumentar significativamente, mas é esperado para vendas no mercado interno 4G / 5G smartphone não será como esperado, no curto prazo , que para o telefone móvel a redução da procura de DRAM / NAND vai aumentar em mais de electrónica de consumo domésticos demanda por DRAM / NAND de.
Em termos de abastecimento, além de fundição de semicondutores doméstica e não-fechamento da cidade, com menos impacto fora da indústria do design, a doméstica cadeia da indústria de tecnologia, tais como PCB, CCL, montagem, teste e embalagem indústria para atrasar o retorno ao trabalho depois de 10 de Fevereiro e não-cheia produtos situação de produção de energia em todos os lugares, por isso há pelo menos duas semanas ou mais redução ou interrupção da produção, pelo menos 17% ou mais do impacto na receita do primeiro trimestre, mas acreditamos que o número de trabalhadores a tempo parcial pode contar com a falta de estoques, aumentaram após o início utilização da capacidade para compensar. Mas, além de uma série de cidades na Província de Hubei, atualmente depois de mais de fechamento completo, cidades e províncias semi-fechados, interrupções na cadeia de fornecimento são susceptíveis de permanecer por várias semanas, em termos de Wuhan, equipamentos e fornecedores de matérias-parte dos Estados Unidos, Japão, Europa evacuação, além da cidade fechada causou a maioria dos principais quadros Taiwan incapaz de voltar ao posto, com AMEC e CRE norte das principais forças não pode entrar suporte Wuhan, que para o armazenamento Yangtze River, fabricantes de equipamentos de núcleo Wuhan Hong e AMEC, norte CRE impacto maior, mas isso pode, em vez causa fabricantes de módulos de memória e clientes a jusante preocupado com interrupções de fornecimento e inventário positiva, acelerar a recuperação da indústria.
2020 indústria memória global cresceu mais de 15%, impulsionado pelo crescimento de 10% no global de semicondutores
Após 2019 declínio de quase 35 anos% no ano, esperamos que 2020 memória global crescimento da receita da indústria do ano mais de 15% no ano, a receita trimestre cresceu fabricante de DRAM / NAND para 43% a partir do segundo trimestre de 2019, melhorando para 20-25% na segunda metade de 2020. A margem de operação a partir do fundo (8% no último trimestre) para reparar vários quartos em mais do que 20%.
A segunda metade do 2020 e 2021, mais o rebote preço do crescimento bit DRAM de 18-19% e 32-37% de crescimento pouco demanda NAND na demanda é esperado para dirigir o faturamento da indústria de memória global 2020/2021 cresceu mais de 15% / 25% (vs. 2019 ano 35% declínio), porque a indústria de memória responde por cerca de 25-30% da receita global de semicondutores está prevista para impulsionar o crescimento no global de semicondutores últimos dois anos quase 10%.
cadeia da indústria doméstica formando implicitamente memória
Embora o nicho DRAM fabricante de Fujian Jinhuagong condenado sem julgamento porque os Estados Unidos foi incluído na lista de dispositivos proibidos (capacidade de produção mensal atual de 5.000 wafers), vemos a cadeia da indústria de armazenamento interno (design, wafers, selagem equipamento de teste) implicitamente formado após um breve olhar sobre o progresso de cada empresa.
Yangtze Armazenamento: Desta vez, Wuhan devido ao novo coronavírus e cidade fechada, equipamentos e fornecedores de material parte dos Estados Unidos, Japão, evacuação Europa, mais a cidade fechada responsável pela maioria dos quadros de Taiwan incapaz de voltar ao posto principal, e AMEC Norte CRE no suporte principal e equipamentos, instalação, inspeção, produção experimental está difícil, portanto, esperar que isso causou um atraso de 3-6 meses de produção Yangtze de NAND flash de camada de memória 64;
Hefei Longo Xin: a 1x desenvolvimento positivo, de 1a memória DDR4 DRAM para telefones móveis para evitar patentes de design e processo americanos;
Chongqing Unisplendour / armazenamento: o computador vai entrar 2021 com produção experimental DDR4 DRAM no próximo ano;
Zhao Yi inovação: contra a Apple TWS (True Wireless Stereo) Airpods aumento substancial no fone de ouvido sem fio de baixa capacidade NOR quota de mercado, e é fabricado para o mercado de design de memória DRAM através Hefei Xin dispositivo de memória longa;
Beijing Jun: aquisições bem sucedidas do ano passado de US nicho de casas de design DRAM / NAND / SRAM ISSI, espera-se significativamente beneficiar das alternativas domésticas;
Taiji Indústria: Memória Interno IC teste e embalagem líder Taiji Indústria exceto com Hynix mar joint muito Semiconductor exterior também continuou a expandir Taiji semicondutores (Western Digital, Micron vezes marca, Hefei longo Xin, ISSI) da produção e embalagem e tecnologia de testes, e Homer roxo ( Yangtze embalagem memória principal e teste) e através de micro rica (Hefei Xin longo consentimento expansão substancial), mas tinham significativamente atrás da Indústria Taiji em embalagens de memória e testes de tecnologia e capacidade de produção;
AMEC: AMEC estimamos vai ganhar cerca de 20% dos meios de armazenamento Yangtze gravura share (CCP) (em dólares, não em volume), ou 4-5% de dispositivos de armazenamento despesas de capital wafer Yangtze.
análise de avaliação
Desde o surgimento das famílias americanas continuaram bloqueio, luz do mar, Hikvision, Dahua, IFLYTEK, vista aberta, Shang Tang, Meiah Pico, de acordo com os planos, Yi Shun Tecnologia, Departamento de Comércio dos EUA a considerar esforços ainda maior de limite (de 25% linha padrão técnico é reduzido para 10%), utilizando tecnologia de semicondutores americano da Huawei, sistema de OEM / EMS em clientes China continental para tirar o máximo do tipo DRAM alternativas não-norte-americanos (com a Samsung, Hynix, Kioxia, Micron e Sul da Ásia para substituir a saída Western digital / NAND) tornou-se uma tendência irreversível. Acreditamos que nos próximos anos, a Coreia do Sul, Japão, China Taiwan, o crescimento da indústria de armazenamento interno será significativamente melhor do que o crescimento da Micron e Western Digital, nos próximos cinco anos, a receita de previsão e EPS CAGR Micron será reduzir significativamente do que a indústria.
Porque a memória de fabricação (não incluindo o design da loja, embalagem e testes, equipamento) flutuações de lucro montante e ciclo a jusante do que outros grandes semicondutores e tecnologia da indústria muitas pessoas não querem investir muito para a empresa de valorização P / E e PEG no passado preço para três anos e rentabilidade futura (P / e) gama é 8-13 vezes, PEG intervalo 0,5-0,3, são muito menores do que em outras indústrias, tais como semicondutores de 26-55 vezes Adiante P indústria de criação de semicondutores / e, PEG 22-47 vezes Atacante P 1,0-2,0, bem como do segmento de semicondutores indústria de equipamentos / e, gama PEG 0,9-1,7, usamos uma média de preço das ações de cada empresa nos próximos anos para medir a alta / baixa gama.
Aviso de risco
Se o primeiro semestre deste ano, os telefones inteligentes e computadores, a demanda do servidor como esperado, o preço da memória não só estável; guerra comercial entre os EUA e a difusão do novo coronavírus ainda é um grande variável; os Estados Unidos da Huawei, Ramo de madrugada, o mar de luz, Hikvision, Dahua, iFLYTEK, vista aberta, Shang Tang, Meiah Pico, de acordo com os planos, a tecnologia da tecnologia Yi Shun vai ampliar a proibição de se concentrar em outras indústrias.
