Para produtos de hardware de computador, muitas pessoas vêem o "nacional", a palavra, ele vai inconscientemente casa de campo, de má qualidade, perecíveis e outras palavras ligadas entre si. De fato, nos últimos anos, os produtos fabricados na China em rigoroso controle de qualidade, aumentar os esforços de P & D com base no já pode dar-lhe entregar uma resposta mais perfeita. Isso não, a tecnologia Yun United (Maxio Technology) como um importante representante dos chips controladores SSD domésticos, demonstrou recentemente sua mais recente PCIe série MAP100X, controlador de tecnologia de núcleo de chips NVMe SSD e soluções 1.3 soluções de interface, uma cobertura abrangente de alta, média e baixa PCIe Interface do mercado de SSD, pode participar plenamente na competição global com as especificações de chips controladores SSD.
série United Yun Tecnologia MAP100X chip controlador PCIe SSD inclui três modelos:
High-end: MAP1001 com cache de DDR, apoio 8CH X 4CE;
Mainstream: MAP1003 com cache de DDR, apoio 4CH X 4CE;
Preço: MAP1002 sem cache de DDR, apoiar 4CH X 4CE, programa de apoio HMB.
adaptação NAND: Suporte todas as marcas de partículas 3D MLC / 3D TLC / 3D QLC.
Interface: PCIe 3,0 x 4 interfaces.
Tecnologia: adota processo de fabricação de 28nm.
O chip de controle Série SSD tecnologia de correção de erros Agile ECC2 tecnologia de auto-desenvolvido United Yun , Capacidades de suporte de hardware RAID para final apoio para acabar com a protecção de dados para suporte NAND partículas tecnologia de auto-adaptativa. Suportes AES256 / SHA256 e SM2 / SM3 / SM4 estado algoritmo secreto, apoio à gestão de energia avançada.
Tem sido um salto qualitativo não só internamente chips controladores, memória flash, o desenvolvimento de partículas China-made é trancos e barrancos. No flash NAND, o investimento interno no poder do maior é o armazenamento Yangtze de 2016 para gastar em Wuhan $ 2,4 bilhões para construir China-made base de chip de memória NAND, iniciou uma pequena produção de 32 camada de pilha 3D Flash no ano passado, está prevista para terminar este ano de 64 cortes de flash 3D trabalho de produção. Onde se espera que o risco de produção experimental para começar no terceiro trimestre, o rendimento atual tem alcançado uma subida notável.
De acordo com as fontes, a fim de diminuir a distância com os fabricantes estrangeiros o mais rapidamente possível, o rio Yangtze em 2020, saltará da pilha de camadas de armazenagem 963D flash, produção directa 1283D camada de memória flash pilha.
Embora a capacidade da pilha 64-slice próximo ano ainda vai ficar para trás Samsung e outros fabricantes, mas o rio Yangtze este ano é armazenado na Conferência Internacional FMS lançou uma tecnologia 3D Xtacking. Neste tempo de suporte técnico, directamente para dentro da camada de armazenamento de Yangtze pilha 3D NAND 128 vezes a diferença com os fabricantes de chips de primeira linha não será tão grande. Ele também fornece um mais poderoso suporte a flash SSD para o desenvolvimento nacional.
Huawei está agora experimentando um evento, pode-se dizer para jogar um espaço de armazenamento interno é ainda maior. Não apenas chips e NAND, a tecnologia DRAM doméstica deve ser desenvolvido energicamente, depois de tudo, a tecnologia em suas próprias mãos é o mais seguro, que Jinhuagong Fujian e Hefei Xin longo para selecionar chips de memória DRAM como um avanço. Recentemente, de acordo com relatos da mídia, a empresa planeja Hefei Xin ponta mais longa da primeira produção em massa do ano de chips de memória, as partículas são 8Gb LPDDR4 esperado Q4 capacidade de produção trimestral de cerca de 20.000 wafers / mês, acabará por ser expandido para 125.000 wafers / meses.
Na era da Internet, todos os dados são aumento dobra geométrica, que sempre precisam de lugares para armazenar dados. sistema de inteligência artificial juntamente com grandes quantidades de dados precisa fazer o treinamento, podemos dizer, a quantidade de dados necessários dias de alimentação para fora. Neste ambiente, a tecnologia de armazenamento de avanço, é muito necessário. Além disso, o tempo 5G chegou, tecnologia de armazenamento se torna mais importante, esta é a chance de fornecedores de armazenamento interno para alcançar homegrown tecnologia de armazenamento, formam um circuito fechado de cadeia da indústria doméstica.
